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基於Source-down技術的全新英飛凌MOSFET， 有效提升功率密度 - 電子工程專輯

基於Source-down技術的全新英飛凌MOSFET， 有效提升功率密度 - 電子工程專輯
本次研討會英飛凌與合作夥伴品佳集團一起為您詳細介紹新推出的基於Source-down技術的全新功率 OptiMOS™ MOSFET，最大連續和脈衝漏極電流能力，使電氣工程師能夠顯著提高產品設計的功率密度...本次研討會英飛凌與合作夥伴品佳集團一起為您詳細介紹新推出的基於Source-down技術的全新功率 OptiMOS™ MOSFET，最大連續和脈衝漏極電流能力，使電氣工程師能夠顯著提高產品設計的功率密度...本次研討會英飛凌與合作夥伴品佳集團一起為您詳細介紹新推出的基於Source-down技術的全新功率 OptiMOS™ MOSFET，最大連續和脈衝漏極電流能力，使電氣工程師能夠顯著提高產品設計的功率密度...

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